据行业消息人士周日透露，韩国三星电子有望在今年第四季度重新夺回全球 DRAM（动态随机存取存储器）市场营收第一的位置，超越其本土竞争对手 SK 海力士。
知情人士表示，三星在今年 10 月至 12 月期间的营业利润预计将超过 18 万亿韩元（约合 122 亿美元），大幅高于市场此前的预期。
此次亮眼表现的主要推动力来自三星的器件解决方案（DS）部门，该部门负责 DRAM、NAND 闪存以及系统半导体业务。该部门预计将实现 15.1 万亿韩元的营业利润，环比大增 166%，同比更是飙升 422%。
凭借这一超预期的盈利表现，三星有望在第四季度登顶全球 DRAM 供应商营收排行榜，将 SK 海力士挤至第二位。
分析师指出，三星近期正积极缩小与竞争对手在高带宽内存（HBM）领域的技术差距。同时，人工智能基础设施，尤其是数据中心领域的强劲投资，推动了传统 DRAM 产品价格的上涨。这两大因素共同显著提振了三星的业绩表现。
存储芯片行业竞争的不断升级，在 DRAM 市场排名的变化中体现得尤为明显。三星曾连续 33 年统治全球 DRAM 市场，但今年第一季度首次被 SK 海力士超越，失去榜首地位。这一失利主要归因于三星在 HBM 技术上的推进速度相对较慢。
SK 海力士早在 2013 年就率先研发出全球首款 HBM 芯片，并自此长期主导全球 HBM 市场。
DRAM 目前仍是全球应用最广泛的易失性半导体存储器，作为电子设备的核心运行内存，DRAM 支持高速随机数据访问，被广泛应用于服务器、智能手机、个人电脑等各类高速计算场景。
而 HBM 则是一种基于先进 3D 堆叠技术的高性能 DRAM，已成为人工智能应用的关键核心组件。随着 AI 产业的爆发式增长，HBM 的市场需求也呈现出迅猛扩张之势。
今年第二季度和第三季度，三星的 DRAM 收入再次落后于 SK 海力士。不过，随着三星加快 HBM 产能释放并逐步稳定良率，第三季度两家公司之间的差距已明显缩小。
行业研究机构 Omdia 上月底发布的数据显示，在价格上涨的推动下，今年第三季度（7—9 月）全球 DRAM 销售额环比增长约 30%。SK 海力士连续第三个季度稳居第一，三星电子与美光分列第二和第三位。
从营收市占率来看，SK 海力士在第三季度的全球 DRAM 市占率为 34.1%，较上一季度的 39.4% 下滑了 5.3 个百分点；三星电子的市占率则由 33.2% 小幅提升至 33.7%。双方的差距从此前的 6.2 个百分点大幅收窄至仅 0.4 个百分点，为第四季度的市场格局变化埋下了悬念。
