【IT之家 5 月 14 日讯】据韩媒 ETNews 报道，苹果正筹划为iPhone问世20周年推出纪念版本，并计划引入一项前沿存储技术——移动高带宽内存（Mobile HBM），以大幅增强设备的AI处理能力。
🔧 什么是 Mobile HBM？
Mobile HBM 属于高性能DRAM类型，通过垂直堆叠存储芯片并采用“硅通孔”（TSV）技术实现高速连接，目前主要用于AI服务器与GPU协同工作，因此也被称为“AI内存”。苹果正探索将此技术适配移动端，以打破传统LPDDR存储在带宽与能效上的瓶颈。
📱 为什么引入 Mobile HBM？
与传统存储相比，Mobile HBM 在保持低功耗的同时，可实现极高的数据吞吐能力，并显著节省芯片空间。苹果计划将其与GPU单元协同运作，支持iPhone本地运行大型AI模型，如大语言模型推理、高级视觉识别等任务——而不会增加设备功耗或响应延迟。
🤝 与谁合作？
据称苹果已与三星电子、SK海力士等顶级存储厂商展开初步接洽。两家均在积极研发自有Mobile HBM解决方案：
- 三星采用“垂直铜柱堆叠”（VCS）封装工艺；
- SK海力士研发“垂直引线扇出”（VFO）技术；
预计二者将在2026年后实现量产。
⚠ 技术挑战：
- 成本高昂：Mobile HBM的制造远高于当前主流LPDDR；
- 散热问题：3D堆叠结构对iPhone这种轻薄设备提出极高散热与封装要求；
- 良率控制复杂：TSV精度要求高，封装难度大。
🔮 展望未来
除了内存革新，报道还提到2027年iPhone将实现“真·全面屏”，采用四边环绕设计，彻底取消可见边框。结合Mobile HBM和边缘AI布局，苹果正在为新一代“超级移动终端”奠定硬件基础。
