人工智能（AI）基础设施投入正推动存储与内存市场迎来新一轮“超级周期”，投资机构与科技巨头纷纷加速布局这一关键赛道。周二，软银集团表示，其子公司 Saimemory 已与英特尔达成合作，双方将联合开发下一代内存技术。
两家公司已于 2 月 2 日签署合作协议，计划共同推动 ZAM（Z-Angle Memory，Z 角度存储）的商业化。ZAM 是一种全新的内存架构，主打高容量、高带宽以及更低功耗，这些特性正日益成为现代 AI 工作负载的核心需求。
根据协议，Saimemory 将采用英特尔的下一代 DRAM（动态随机存取存储器）组装技术，并计划在 2028 年初前完成原型开发。更具体而言，Saimemory 目标是在 2027 财年完成原型，并于 2029 财年实现商业化落地。
软银表示，该技术的研发方向明确瞄准 AI 数据中心。随着生成式 AI 模型对算力需求的急剧上升，高速内存已成为 AI 数据中心中最关键的基础组件之一。
软银在声明中指出：“ZAM 这一下一代内存技术，将为需要进行大规模 AI 模型训练与推理的数据中心及相关场景，提供高容量、高带宽的数据处理能力，同时实现更高性能与更低功耗。”
随着 AI 训练算力需求呈指数级增长，数据中心的能耗问题已成为全行业的核心痛点。尽管高带宽内存（HBM）能够显著提升数据传输效率，但其功耗始终难以有效控制。有估算显示，在谷歌的 AI 数据中心中，HBM 的功耗占内存系统总能耗的比例高达 35%，且散热成本仍在逐年上升。
软银与英特尔此次联手，正是直击这一瓶颈问题。这一合作也释放出明确信号：AI 硬件的发展方向，正在从单纯追求性能，转向同时强调能效的结构性变革。
Saimemory 本身是一家相对年轻的软银子公司，成立于 2024 年 12 月，旨在推动下一代内存技术的研发、落地与实际应用。在明确与英特尔合作意向后，该公司于 2025 年年中完成更名。项目自启动之初，便设定了与主流 HBM 相当的性能目标，同时力争将功耗降低一半以上。
此前有报道称，作为该项目的关键支持方，软银已决定投入首笔 30 亿日元资金，成为早期阶段最大的出资方。整个项目的总成本预计约为 100 亿日元（约合 7000 万美元）。一旦 Saimemory 的产品成功实现商业化，软银将享有优先供货权。
从英特尔的角度来看，这一合作同样具有重要的战略意义。消息公布之际，正值英特尔加速强化其芯片产品线，并努力在 AI 相关硬件领域缩小与竞争对手差距的关键阶段。
这也被视为英特尔在存储领域的一次重要回归。早在 2022 年，英特尔便决定退出 Optane 存储业务，并将 NAND 闪存业务出售给 SK 海力士，但仍保留了与 Optane 相关的 3D XPoint 技术与专利。
分析人士指出，尽管 Saimemory 聚焦于 DRAM 路线，与 Optane 的非易失性存储技术不同，但英特尔在先进封装与芯片堆叠等领域的深厚积累，仍将为 Saimemory 的技术研发与产品推进提供关键支持。
